型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET29655+￥22.581050+￥21.6160200+￥21.0756500+￥20.94051000+￥20.80542500+￥20.65105000+￥20.55457500+￥20.4580 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 250V 6.7A TO-220F36855+￥27.284450+￥26.1184200+￥25.4654500+￥25.30221000+￥25.13902500+￥24.95245000+￥24.83587500+￥24.7192 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F102410+￥8.4000100+￥7.9800500+￥7.70001000+￥7.68602000+￥7.63005000+￥7.56007500+￥7.504010000+￥7.4760 -
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品类: MOS管描述: FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220F40405+￥16.883150+￥16.1616200+￥15.7576500+￥15.65661000+￥15.55552500+￥15.44015000+￥15.36807500+￥15.2958 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。58505+￥5.481025+￥5.075050+￥4.7908100+￥4.6690500+￥4.58782500+￥4.48635000+￥4.445710000+￥4.3848 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP85N06, 85 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装42605+￥22.861850+￥21.8848200+￥21.3377500+￥21.20091000+￥21.06412500+￥20.90785000+￥20.81017500+￥20.7124 -
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品类: MOS管描述: 250V沟道MOSFET 250V Channel MOSFET466610+￥0.918050+￥0.8704100+￥0.8364300+￥0.8160500+￥0.79561000+￥0.77522500+￥0.74465000+￥0.7378 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 400V 6A TO-22070381+￥48.800010+￥46.0000100+￥43.9200250+￥43.6000500+￥43.28001000+￥42.92002500+￥42.60005000+￥42.4000 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。866710+￥8.5200100+￥8.0940500+￥7.81001000+￥7.79582000+￥7.73905000+￥7.66807500+￥7.611210000+￥7.5828 -
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品类: MOS管描述: 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET605310+￥9.7560100+￥9.2682500+￥8.94301000+￥8.92672000+￥8.86175000+￥8.78047500+￥8.715410000+￥8.6828 -
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品类: MOS管描述: 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET73995+￥1.485025+￥1.375050+￥1.2980100+￥1.2650500+￥1.24302500+￥1.21555000+￥1.204510000+￥1.1880 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。484910+￥6.9960100+￥6.6462500+￥6.41301000+￥6.40132000+￥6.35475000+￥6.29647500+￥6.249810000+￥6.2264 -
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品类: MOS管描述: N沟道 100V 11.8A27385+￥6.169525+￥5.712550+￥5.3926100+￥5.2555500+￥5.16412500+￥5.04995000+￥5.004210000+￥4.9356 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 400V 2A 3Pin TO-220 Tube415310+￥6.5760100+￥6.2472500+￥6.02801000+￥6.01702000+￥5.97325000+￥5.91847500+￥5.874610000+￥5.8526 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP3P50 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.7 A, -500 V, 4.9 ohm, -10 V, -5 V825610+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。508310+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET69395+￥2.592025+￥2.400050+￥2.2656100+￥2.2080500+￥2.16962500+￥2.12165000+￥2.102410000+￥2.0736 -
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品类: MOS管描述: N沟道MOSFET QFET® 400 V ， 10.5 ， 530英里© N-Channel QFET® MOSFET 400 V, 10.5 A, 530 mΩ2782 -
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品类: MOS管描述: 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET286510+￥1.039550+￥0.9856100+￥0.9471300+￥0.9240500+￥0.90091000+￥0.87782500+￥0.84325000+￥0.8355 -
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品类: MOS管描述: 100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET86035+￥1.768525+￥1.637550+￥1.5458100+￥1.5065500+￥1.48032500+￥1.44765000+￥1.434510000+￥1.4148 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-22089915+￥14.391050+￥13.7760200+￥13.4316500+￥13.34551000+￥13.25942500+￥13.16105000+￥13.09957500+￥13.0380 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。26495+￥6.561025+￥6.075050+￥5.7348100+￥5.5890500+￥5.49182500+￥5.37035000+￥5.321710000+￥5.2488
